EV、HEV用IGBT模塊

采用直接水冷銅散熱片基礎結構、實現了高功率密度和小型封裝的EV、HEV用IGBT模塊 產品中分別內置有6個IGBT和FWD。此外,還內置有用于檢測溫度的熱敏電阻。

產品信息

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EV、HEV用IGBT模塊 650V級

※點擊產品圖像即可查看等效電路圖。

VCE(sat): at Tj=25°C, Chip

Package Device type VCES
Volt
IC(Cont)
Amps.
IC(Peak)
Amps.
VCE(sat)
Typ. Volts
VF
Typ. Volts
Net mass Grams

M651
6MBI400VW-065V 650 200 400 2.00 (IC=400A) 1.70 (IF=400A) 660g

M652
6MBI600VW-065V 650 300 600 2.00 (IC=600A) 1.70 (IF=600A) 900g

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:更新

:開發中

 


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